PHI TRIFT V nanoTOF Time-of-flight SIMS

特點說明:
   TOF-SIMS的原理是使用脈衝式離子射束，去導致固體樣品表面的原子及分子產生吸附及離子化，再經由被加速至二次離子質譜分析器，深度分析也是依此原理去剝蝕各層而分析各層結構。
● 五軸式電腦控制樣品平台
● 可做2D或3D的深度分佈圖
● 質譜的範圍廣泛
● 專利的雙射線束電性中和 :
   分析不導電樣品時，不需做特別的前置樣品準備
   自動分析多樣性之絕緣體樣品
● 配件多樣化可配備多達四種離子源 :
   C60離子槍、樣品溫度控制

產業應用﹕材料,能源產業,電子,半導體產業